سخت افزار

حافظه HBM2 جدید سامسونگ 1.2 ترافلاپس قدرت پردازشی دارد!

حافظه هوشمند

امروز سامسونگ (Samsung) اعلام کرد که حافظۀ HBM2 این شرکت دارای پردازنده هوش مصنوعی است که می‌تواند حداکثر قدرت محاسباتی تعبیه شده 1.2 ترافلاپس را ارائه کند. با استفاده از این چیپ پردازنده داخلی، حافظه می‌تواند عملیاتی که معمولاً برآمدن از پس آن‌ها وظیفه CPU‌ ،GPU ،ASIC یا FPGA است به انجام برساند.

چیپ‌های جدید HBM-PIM (پردازش در حافظه)، یک موتور هوش مصنوعی دارد که درون هر بانک حافظه قرار گرفته‌اند و در نتیجه، عملیات پردازشی به خودِ HBM محول می‌شوند. این کلاس جدید از حافظه طراحی شده تا کار انتقال داده میان حافظه و پردازنده از بین برود؛ کاری که معمولاً انرژی و زمان بیشتری برای محاسبۀ عملیات مصرف می‌کند.

طبق اطلاعاتی که سامسونگ در اختیار ما قرار داده، زمانی که پردازندۀ جدید درون یک حافظۀ HBM2 پیاده‌سازی می‌شود، این فناوری می‌تواند عملکرد سیستم را تا دوبرابر بهبود داده و در آنطرف، مصرف انرژی را تا 70 درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین ادعا می‌کند که حافظۀ جدید، هیچ نیازی به تغییر و تحول سخت افزاری و نرم افزاری، از جمله کنترلرهای حافظه ندارد و در نتیجه، سرعت سازگاری آن در بازار سخت افزار و میان کاربران، بیشتر می‌شود. همین عامل در کنار عوامل دیگر، سامسونگ را قادر می‌سازد تا حافظه جدید خود را در نیمه ابتدایی سال 2021 روانۀ بازار کند.

نگاهی به درون حافظۀ HBM-PIM سامسونگ

سامسونگ در کنفرانس بین المللی و مجازی مدارهای جامد (ISSCC)، اطلاعات و جزئیات دقیق‌تری از معماری و ساختار حافظۀ جدید خود منتشر کرد.

همانطور که در تصاویر بالا مشاهده می‌کنید، هر بانک حافظه دارای یک واحد محاسباتی قابل برنامه‌‌ریزی (PCU) است که با سرعت 300 مگاهرتز کار می‌کند. این واحد از طریق دستورهای مرسوم حافظه کنترل می‌شود؛ دستورهایی که از میزبان گرفته می‌شوند، پردازش DRAM را قادر می‌سازند و عملیات محاسباتی FP16 مختلفی را اجرا می‌کند. این حافظه همچنین می‌تواند در هر دو حالت استاندارد و FIM کار کند. حالت استاندارد دقیقاً به صورت HBM2 عادی کار کرده و حالت FIM، داده را داخل حافظه پردازش می‌کند.

به صورت طبیعی، ساختن فضا برای واحدهای PCU، ظرفیت حافظه را کاهش می‌دهد. هر بستر (Die) حافظه که دارای PCU است، نصف ظرفیت بستر استاندارد 8 گیگابایتی HBM2 (چهار گیگابایت) ظرفیت دارد. برای کمک به رفع این مشکل، سامسونگ مدل‌های 6 گیگابایتی را پیشنهاد می‌دهد که 4 بستر 4 گیگابایتی PCU را با چهار بستر 8 گیگابایتی بدون PCU ترکیب کرده است.

همچنین بد نیست اشاره کنیم که در تصاویر قرار گرفته در قسمت بالا، به فناوری جدید سامسونگ به عنوان عملکردی در حافظه DRAM اشاره شده اما این در واقع یک نام رمز داخلی برای فناوری جدیدی است که نام برند HBM-PIM را یدک می‌کشد. نمونه‌های سامسونگ بر اساس نمونه‌های اولیۀ چیپ 20 نانومتری است که بدون افزایش میزان مصرف انرژی به سرعت 2.4 گیگابیت بر ثانیه توان عملیاتی در پین می‌رسد.

فناوری هیجان انگیز

فناوری جدید شرکت سامسونگ برای اضافه کردن پردازنده به حافظه HBM2، بدون شک جالب و هیجان انگیز است و می‌تواند محدودیت‌های کنونی در زمینۀ چیپ‌های حافظه، مخصوصاً محدودیت‌های خنک سازی را برطرف سازد. در روزهای گذشته خبر رسید که سامسونگ برای احداث یک کارخانه تولید چیپ و نیمه رسانا، سرمایه عظیم 17 میلیارد دلاری را در تگزاس آمریکا صرف کرده است اما نکته جالب این که پس از گذشت مدتی دستور داد که این کارخانۀ جدید به دلیل مشکل کمبود انرژی و برق در آن منطقه، تعطیل شود! با توجه به این شرایط، قطعاً سامسونگ برای تولید چیپ‌های اختصاصی چالش‌های بیشتری را در عصر کمبود چیپ و نیمه رسانا پیش روی خود خواهد دید.

مشخص است که سامسونگ در زمینۀ تولید حافظه در چند سال گذشته قدم‌های رو به جلوی فوق‌العاده‌ای برداشته و به نظر می‌رسد قصد پیشرفت و جاه‌طلبی بیشتری را در این راه داشته باشد. در ماه‌های گذشته بود که این شرکت اس اس دی هوشمند خود را معرفی کرد؛ درایو ذخیره سازی که می‌تواند با پردازندۀ داخلی خود به شکل هوشمند عمل کرده و داده‌ها را فشرده نماید. به عنوان مثال، یک اس اس دی هوشمند 4 ترابایتی، می‌تواند 12 ترابایت داده و اطلاعات را داخل خود ذخیره نماید که حقیقاً شگفت انگیز است.

نظر شما در مورد حافظۀ HBM2 جدید سامسونگ با 1.2 ترافلاپس قدرت پردازشی چیست؟ پیشرفت و جاه‌طلبی شرکت سامسونگ در زمینۀ تولید حافظه را تا چگونه ارزیابی می‌کنید؟ نظرات خوب خود را با ما به اشتراک بگذارید.

منبع
Tom's Hardware
نمایش بیشتر
0 0 رای
امتیاز این مطلب
اطلاع رسانی در مورد
guest
0 کامنت
کامنت داخل متن
دیدن تمام کامنت‌‌ها

نوشته های مشابه

دکمه بازگشت به بالا