سخت افزار

سامسونگ برنامه‌های بزرگی برای پیشرفت حافظه‌های 3D NAND دارد

ظاهراً شرکت سامسونگ در حال توسعه حافظه‌های V NAND با بیش از 176 لایه است

همانطور که در جریان هستید شرکت سامسونگ اولین نمونه از حافظه‌های 3D NAND را که V NAND لقب گرفته‌اند در سال 2013 معرفی و تولید انبوه آن‌ها را زودتر از سایر شرکت‌ها آغاز کرد. در آن زمان این شرکت با تراشه‌های 24 لایه V NAND کار خود را شروع کرد و اکنون پس از کسب سال‌ها تجربه به تراشه‌هایی با لایه‌های بیشتر روی آورده است. براساس گزارش‌های اخیر شرکت مذکور در حال تولید حافظه‌های V NAND با 176 لایه است. این شرکت مدعی شده که این تازه آغاز راه است و در سال‌های آینده تراشه‌هایی با بیش از 1000 لایه تولید خواهد کرد.

حافظه‌های 3D NAND با 176 لایه

ظاهراً سامسونگ قصد دارد تولید انبوه‌های حافظه‌های V NAND با 176 لایه را که طبق گفته این شرکت کوچک‌ترین سلول حافظه در این صنعت را خواهند داشت، آغاز کند. سرعت انتقال داده حافظه‌های جدید بیش از 2000 مگا ترنسفر در ثانیه خواهد بود که به سامسونگ این اجازه را می‌دهد تا اس اس دی‌هایی فوق پرسرعت با پشتیبانی از رابط‌های PCIe 4.0 و PCIe 5.0 را تولید کند. درایوهای جدید به کنترلر جدیدی مجهز خواهند شد که برای مولتی تسکینگ و پردازش‌های فوق سنگین بهینه شده است و انتظار می‌رود که نسل جدید اس اس دی 980 Pro عملکرد شگفت انگلیزی را در اجرای نرم افزارها به ارمغان بیاورد.

به مرور زمان شرکت سامسونگ اس اس دی‌های مخصوص پایگاه‌های داده را نیز با استفاده از حافظه‌های 176 لایه خود به تولید خواهد رساند. این موضوع کاملاً منطقی به نظر می‌رسد که انتظار داشته باشیم در آینده درایوهایی با ظرفیت بالاتر و بازدهی بیشتر روانه بازار شوند. لازم به ذکر است که با وجود نزدیک بودن به شروع تولید انبوه حافظه‌های V NAND با 176 لایه، سامسونگ در حال حاضر اولین نمونه‌های تراشه‌های 200 لایه خود را نیز تولید کرده است. شرکت مذکور اعلام کرده که مطابق با نیاز بازار حافظه‌های جدید را عرضه خواهد کرد. شرکت‌ها معمولاً هر 12 تا 18 ماه یک بار از نسل جدید حافظه‌های NAND خود رونمایی می‌کند، بنابراین با توجه به این موضوع می‌توان برنامه‌های آینده سامسونگ را برای عرضه حافظه‌هایی با بیش از 200 لایه پیش بینی کرد.

چالش‌هایی که شرکت‌ها در توسعه حافظه‌های NAND با آن‌ها مواجه هستند

برای افزایش لایه‌های حافظه‌های NAND چند چالش بر سر راه شرکت‌های سازنده مثل سامسونگ قرار دارد. برای ساخت سلول‌های حافظه NAND کوچک‌تر به استفاده از مواد اولیه جدیدی نیاز خواهد بود که در نگهداری شارژ پایداری لازم را داشته باشند و البته قرار دادن صدها لایه روی هم نیز به تنهایی یک چالش محسوب می‌شود. اما به این دلیل که تولید صدها و هزاران لایه به صورت هم زمان روی یک ویفر 3D NAND از لحاظ افتصادی به صرفه نیست، شرکت‌های سازنده از روش‌های دیگری مثل Stacking استفاده می‌کنند که آن هم در تولید انبوه مشکلاتی را برای شرکت‌ها به همراه خواهد داشت.

در نهایت شرکت‌های سازنده باید حافظه‌های NAND خود را برای استفاده در گوشی‌های هوشمند و کامپیوترهای شخصی به باریک‌ترین شکل ممکن تولید کنند. بنابراین شرکت‌ها نمی‌‍توانند به راحتی تعداد لایه‌ها را به بیش از هزار افزایش دهند، اما سامسونگ معتقد است که این کار در آینده ممکن خواهد بود.

سامسونگ در این مسیر تنها نیست

در اوایل سال جاری شرکت SK Hynix رسماً اعلام کرد که در حال توسعه حافظه‌های 3D NAND با بیش از 600 لایه است، بنابراین می‌توان گفت که سامسونگ در راه توسعه نقشه‌های بزرگ خود برای حافظه‌های NAND تنها نیست. این احتمال وجود دارد زمانی که سامسونگ در حال توسعه حافظه‌هایی با بیش از هزار لایه است، شرکت SK Hynix حافظه‌های 600 لایه خود را راهی بازار کند. با توجه به اینکه شرکت‌های سازنده هرسال تعداد لایه‌های حافظه را به دو برابر افزایش نمی‌دهند، می‌توان انتظار داشت که درایوهای جدید دو شرکت مذکور تا پنج سال آینده به مرحله بهره برداری برسند. نظر شما چیست؟ آیا اس اس دی‌ها طی سال‌های آینده جهش بزرگی خواهند داشت یا خیر؟ حتماً دیدگاه خود را با ما به اشتراک بگذارید.

منبع
Tom's Hardware
نمایش بیشتر

ایمان ایمانی

Beyond a doubt truth have the same relation to leasing as light to darkness.
0 0 رای
امتیاز این مطلب
اطلاع رسانی در مورد
guest
0 کامنت
کامنت داخل متن
دیدن تمام کامنت‌‌ها

نوشته های مشابه

دکمه بازگشت به بالا